三星电子推出12nm级32GbDRAM产品_资讯中心

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三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注

三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。

通过使用最新开发的 32Gb 内存颗粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工艺也能够生产 128GB 内存模组。与使用 16Gb 内存封装的 128GB 内存模组相比，其功耗降低了约 10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。

三星电子推出12nm级32GbDRAM产品

以 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和 IT 行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供 12 纳米级的 32Gb 内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。