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电子元器件现货供应商
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FGA40N65SMD 是 onsemi（安森美半导体，原 FAIrchild）推出的一款高性能场停止型（Field Stop）IGBT 功率晶体管，额定电压为 650V，额定电流为 40A。该器件具有低饱和压降、快速开关速度以及高结温特性，非常适合用于高功率、高效率的电源系统和工业控制应用。
| 参数名称 | 参数值 | 说明 |
|---|---|---|
| 制造商 | onsemi（安森美半导体） | 原 Fairchild 品牌 |
| 型号 | FGA40N65SMD | 场停止型 IGBT |
| 结构类型 | NPT Field Stop IGBT | 低损耗设计 |
| 封装形式 | TO-3P（TO-3PN） | 通孔式封装 |
| 集电极-发射极耐压 (VCES) | 650 V | 最大耐压 |
| 集电极电流 (IC) | 40 A | Tc=25°C 条件下 |
| 集电极峰值电流 (ICM) | 80 A | 脉冲条件下 |
| 饱和压降 (VCE(sat)) | 1.9 V（典型） | IC=40A，VGE=15V |
| 输入电容 (Cies) | 3800 pF | 典型值 |
| 关断延迟时间 (td(off)) | 约 100 ns | 快速开关 |
| 总开关能量 (Etotal) | 2.3 mJ（典型） | 高频应用适用 |
| 最大结温 (TJ) | 175°C | 高温稳定 |
| 热阻 (RθJC) | 0.43 °C/W | 高效散热性能 |
| 驱动电压 (VGE) | ±20 V（最大） | 推荐驱动15V |
| 封装引脚数 | 3 引脚 | 标准功率封装 |
一、产品简介
FGA40N65SMD 采用场停止技术设计，在保持高耐压的同时显著降低导通损耗。其典型饱和压降 VCE(sat) 约为 1.9V（IC=40A，VGE=15V），并具有极低的开关损耗和优良的热稳定性能。该芯片最大结温可达 175°C，保证在高负载环境下的可靠运行。
二、主要特性
集电极-发射极耐压：650V
集电极电流：40A（Tc=25°C）
饱和压降典型值：1.9V（IC=40A, VGE=15V）
关断延迟时间：约 100ns
关断能量低，切换损耗小
正温度系数设计，支持并联使用
高结温性能：最高可达 175°C
封装形式：TO-3P（TO-3PN）
三、性能与优势
FGA40N65SMD 采用先进的场停止结构，兼顾低导通损耗与高速开关性能，能够在高压工作环境下保持高效率与低发热。其正温度系数特性适合多器件并联运行，提高系统功率输出的可靠性。该器件可大幅降低系统能耗和散热设计压力，是高能效功率转换系统的理想选择。
四、典型应用场景
FGA40N65SMD 适用于各类高功率转换与控制系统，包括：
五、设计与使用建议
在设计应用中，建议驱动电压为 VGE=15V，以获得最佳导通性能与开关速度。器件热阻 RθJC 典型值约为 0.43°C/W，需搭配合适散热片使用。对于并联应用，应匹配器件参数以确保电流均分。建议在系统设计中加入合适的栅极电阻和缓冲电路以优化 EMI 性能。
六、总结
FGA40N65SMD 以其高耐压、低损耗和高可靠性，为高效电源与功率转换系统提供卓越性能。其优异的热特性和快速响应能力，使其成为新能源、电力电子及工业控制领域的理想选择。
