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FDMS86101 高效率同步整流 MOSFET 驱动器:低损耗电源管理解决方案

发布时间:2025-10-23 10:49:33

开关电源、DC-DC 转换器、电池管理和便携式设备中,同步整流 MOSFET 驱动器能够显著提升系统效率并降低功耗。FDMS86101 是 ON Semiconductor 推出的一款 集成双 N 沟道 MOSFET 的同步整流控制器,专为高效率同步降压 DC-DC 转换设计优化,具有低导通电阻、快速开关和高电流能力。

FDMS86101 高效率同步整流 MOSFET 驱动器:低损耗电源管理解决方案(图1)

一、产品概述
FDMS86101 内置高性能 N 沟道 MOSFET,适用于高频 DC-DC 降压拓扑,支持高达 20A 峰值电流输出,导通电阻低至 4 mΩ(典型值),显著降低导通损耗。器件集成驱动器和保护电路,包括过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP),简化外围设计并提高系统可靠性。采用 HSOP-8 封装,适合高密度 PCB 布局和紧凑型系统设计。

主要特性包括:

  • 器件类型: 双 N 沟道同步整流 MOSFET

  • 最大电流能力: 峰值 20A

  • 导通电阻(R_DS(on)): 4 mΩ(典型值)

  • 输入电压范围: 4.5V ~ 18V

  • 驱动拓扑: 同步降压 DC-DC

  • 保护功能: 过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)

  • 封装形式: HSOP-8

  • 工作温度范围: -40°C ~ +125°C

  • 快速开关特性与低导通损耗

二、性能与功能优势

  1. 低导通电阻设计
    导通电阻低,降低 MOSFET 导通损耗,提高电源效率。

  2. 高峰值电流能力
    支持 20A 峰值电流,满足中高功率降压转换需求。

  3. 快速开关性能
    内置驱动器优化开关速度,降低开关损耗,提高高频效率。

  4. 集成保护功能
    OCP、UVLO 和 OTP 等保护机制保证系统安全运行,减少外部器件数量。

  5. 紧凑封装与易用性
    HSOP-8 小尺寸封装适合高密度 PCB 布局,简化热设计和系统集成。

三、典型应用领域
FDMS86101 广泛应用于高效率电源和功率管理场景,包括:

  • DC-DC 降压转换器

  • 便携式电池供电设备

  • 工业和消费类电源管理系统

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    电池充电器与能量管理模块

  • 高性能计算设备电源供电

  • 同步整流拓扑优化的高频开关电源

四、总结
FDMS86101 是一款高性能、高效率的同步整流 MOSFET 驱动器,结合低导通电阻、快速开关能力与集成保护特性,为降压 DC-DC 转换器和电源管理系统提供高效可靠的解决方案。其紧凑封装和高电流能力使其成为工业、消费电子及便携设备电源设计的理想选择。


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