BSC070N10NS3G 是 Infineon Technologies（英飞凌）推出的一款 N 通道 MOSFET，采用增强型 Trench 技术，具备低导通电阻和高开关速度，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换和电机驱动等领域。其采用 PG-TDSON-8（SuperSO8）封装，适用于高效能电子设备。
BSC070N10NS3G 规格参数
类型：N 通道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：50A（@25°C）
栅极驱动电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 7.0mΩ（@ Vgs = 10V）
功耗（Pd）：136W
开关速度：高频应用优化
封装：PG-TDSON-8（SuperSO8）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
特性：
低 Rds(on)，减少功率损耗，提高能效
高电流处理能力，适用于大功率应用
采用 SuperSO8 封装，提升散热性能
适用于高频开关电路，提高电源效率
行业应用
BSC070N10NS3G 适用于各种电源管理和功率转换应用，包括：
DC-DC 转换器：提高功率转换效率
服务器与数据中心：用于高效电源管理
电机驱动：适用于高性能 BLDC 电机控制
汽车电子：用于48V 电源管理、ECU、负载开关
工业自动化：用于可编程逻辑控制器（PLC）和工业电源
相关替代型号
如果 BSC070N10NS3G 不适用，可以考虑以下替代型号：
BSC059N10NS5（Infineon）：更低 Rds(on)，适用于高效能应用
IRLZ44N（Infineon）：55V N 通道 MOSFET，适用于较低电压应用
NTD5867NL（ON Semiconductor）：75V N 通道 MOSFET，适用于开关电源
STP75NF75（STMicroelectronics）：75V 80A MOSFET，适用于大功率应用
ChipsX 电子元件供应
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