IR2104STRPBF 是 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款高压半桥驱动芯片，专为 MOSFET 和 IGBT 设计，适用于电机驱动、DC-DC 转换器和功率放大器等应用。该芯片支持低侧和高侧驱动，能够在高达 600V 的工作电压下稳定运行。
IR2104STRPBF 规格参数
类型：高压半桥驱动器
工作电压（VCC）：10V ~ 20V
最大驱动电压（VBOOT-VS）：600V
低侧/高侧偏置电压（VB-VS）：最大 600V
输入逻辑电平：TTL 兼容（3.3V / 5V 兼容输入）
低侧驱动电流（Io+ / Io-）：290mA / 600mA
高侧驱动电流（Io+ / Io-）：250mA / 500mA
死区时间（Tdead）：典型 520ns
封装：SOIC-8（SMD）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
特性：
低侧和高侧独立驱动，适用于半桥或全桥电路
TTL 逻辑兼容输入，适用于 3.3V 和 5V MCU 直接驱动
600V 高压操作，适用于高功率转换应用
内置自举二极管，减少外部元件需求
防交叉导通保护，提高电路可靠性
低功耗，适合便携式和高效能应用
653" data-end="667">行业应用
由于 IR2104STRPBF 具备高压驱动能力和宽工作电压范围，因此广泛应用于以下领域：
电机驱动：BLDC（无刷直流电机）、PMSM（永磁同步电机）、步进电机控制
DC-DC 转换器：同步整流、升压（Boost）和降压（Buck）电源管理
不间断电源（UPS）：用于逆变器电路，提高转换效率
太阳能逆变器：高压 MOSFET/IGBT 驱动，适用于光伏系统
高功率 LED 驱动：驱动大功率 LED 负载，提高光源能效
音频功放（D 类放大器）：用于高效功率放大电路
相关替代型号
如果 IR2104STRPBF 不适用，可以考虑以下替代型号：
IR2101S（Infineon）：类似设计，带有更短的死区时间，适用于更快的开关应用
IR2110S（Infineon）：支持更大驱动电流，适用于大功率 MOSFET/IGBT 驱动
IRS2004S（Infineon）：增强型死区时间控制，提高系统稳定性
TC4427A（Microchip）：适用于低压 MOSFET 驱动，工作电压较低
L6386E（STMicroelectronics）：具有更高的峰值驱动能力，适用于高功率逆变器
ChipsX 电子元件供应
ChipsX 提供 IR2104STRPBF 及其替代型号，支持批量采购、技术支持和快速发货。如需获取 IR2104STRPBF 的库存、价格和技术资料，欢迎访问 ChipsX 官网查询。
