MMBT6428LT1G 是 onsemi（安森美）推出的一款高增益 NPN 小信号晶体管，封装为 SOT-23，适用于对电流控制灵敏度要求较高的应用场景，如信号放大、开关控制、驱动级等。其特点是低饱和压降、高电流增益和快速响应速度。
主要规格参数
类型：NPN 双极型晶体管
集电极-基极电压（VCBO）：60V
集电极-发射极电压（VCEO）：60V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：0.8A
功耗（Ptot）：225mW（@Ta = 25°C）
直流电流增益（hFE）：典型值 120~400（@VCE=5V, IC=2mA）
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
产品描述
MMBT6428LT1G 作为一款高性能 NPN 晶体管，采用表面贴装封装，适合于空间受限的高密度 PCB 设计。它具备高电流增益（hFE）和低饱和压降特性，能够在小信号电流下实现高效放大和快速切换。适用于通用电子设备、消费类产品、通信模块等需要信号控制和电平转换的场合。
行业应用
相关型号
与 MMBT6428LT1G 类似功能和封装的型号包括 MMBT3904、MMBT2222A、BC847 等，可在设计中根据不同的增益或电压需求进行替换。
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